МДП–транзистор со встроенным каналом
На рис. 7 показана структура МДП – транзистора со встроенным каналом и полярности подаваемых напряжений для случая канала p – типа. Условные графические изображения транзисторов этого типа приведены на рис. 8.
Структура МДП – транзистора со встроенным каналом аналогична структуре транзистора, рассмотренного в предыдущем разделе, за исключением того, что в подложке между стоком и истоком методом диффузии сформирован проводящий канал. Сток, исток и канал имеют одинаковый тип проводимости и между ними нет потенциальных барьеров. Поэтому между стоком и истоком существует достаточно высокая проводимость при отсутствии напряжения на затворе. Модуляция проводимости канала, как и прежде, производится изменением напряжения на затворе Uзи. Однако в данном случае напряжение Uзи может быть как положительным, так и отрицательным. В случае p – канала (рис.7) отрицательное напряжения на затворе притягивает дырки, то есть обогащает канал основными носителями и повышает его проводимость. Положительное напряжение Uзи выталкивает основные носители из канала, то есть обедняет канал и снижает его проводимость. При некотором напряжении Uзи = Uзи отс (напряжение отсечки) проводимость канала пропадает и ток через него невозможен. При фиксированном напряжении на затворе U зи < Uзи отс увеличение напряжения на стоке U си приводит к росту тока стока I с, при малых U си, как и прежде, наблюдается почти линейный рост тока. По мере увеличения U си происходит расширение ОПЗ у стокового электрода и при некотором значении U си = U си нас (напряжение насыщения) проводящий канал у стокового электрода перекрывается ОПЗ (отсечка канала), после чего рост тока I с почти прекращается. Выходные характеристики МДП – транзистора со встроенным каналом показаны на рис. 9а. Их ход аналогичен ходу выходных характеристик ранее рассмотренных ПТ. На рис. 9б приведены характеристики передачи МДП – транзистора со встроенным каналом. Как и для ПТУП они исходят из некоторой точки на оси U зи, соответствующей напряжению отсечки. В отличие от соответствующих характеристик ПТУП характеристики передачи в данном случае переходят и в область напряжений противоположной полярности. МДП – транзисторы со встроенным каналом могут работать как в режиме обеднения канала носителями, так и в режиме обогащения. Транзисторы данного типа являются нормально открытыми приборами.
Экспериментальная часть
Популярное: Как вы ведете себя при стрессе?: Вы можете самостоятельно управлять стрессом! Каждый из нас имеет право и возможность уменьшить его воздействие на нас... ©2015-2024 megaobuchalka.ru Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. (353)
|
Почему 1285321 студент выбрали МегаОбучалку... Система поиска информации Мобильная версия сайта Удобная навигация Нет шокирующей рекламы |