В схеме с общим эмиттером
Для схемы с общим эмиттером, изображенной на рис. 3,б, сохраняется соотношение между токами транзистора (13). Уравнение коллекторного тока (10) также справедливо, но с учетом особенности данной схемы, заключающейся в том, что коллекторное напряжение Uк в данном случае приложено не только к коллекторному, но и к эмиттерному переходу:
где Uкб – напряжение на коллекторном переходе. Поскольку в формуле (10) в показателе степени должно быть напряжение на коллекторном переходе для схемы с ОЭ напряжение Uк в этой формуле необходимо заменить на Uкб = Uк - Uб. Кроме того, ток коллектора нужно выразить как функцию Iб, поскольку входным током теперь является ток базы. Используя формулы (10), (13) и (19) нетрудно получить уравнение коллекторного тока для схемы с ОЭ:
Введем обозначение:
Подставив в формулу (21) значение
получим:
Формула (22) раскрывает физический смысл коэффициента β. Он носит название коэффициента передачи тока базы. Величина β значительно больше единицы, что видно из формулы (21). Чем ближе α к единице, тем больше β. Используя введенный коэффициент β, запишем (20) в виде:
При условии Uк < 0 и уравнение (23) принимает вид:
Выходными характеристиками транзистора в схеме с общей базой являются зависимости:
При Iб = 0 и, следовательно, Uб = 0 выходная характеристика в соответствии с формулой (20) описывается выражением:
Характеристика (26) отличается от соответствующей характеристики (9) для схемы с общей базой тем, что на ее обратной ветви (при Uк < 0) ток в (β+1) раз больше обратного тока насыщения Iко (рис. 8).
Рис. 8 При Iб > 0 выходные характеристик в соответствии с (23) сдвигаются по вертикали на величину βIб и одновременно еще сдвигаются вправо на величину Uб, что следует из соотношений (19) и (23). А величина Uб тем больше, чем больше ток Iб. В результате выходные характеристики не пересекают ось ординат, а полностью располагаются в первом квадранте, как показано на рис. 8. Еще одна особенность схемы с общим эмиттером заключается в том, что минимальное значение коллекторного тока Iк = Iко получается при отрицательном токе базы Iб = -Iко. Транзистор в схеме с общим эмиттером управляется не только положительным, но и отрицательным входным током в диапазоне от Iб = 0 до Iб = -Iко. На рис. 8 указаны области активного режима, отсечки и насыщения. Область насыщения (заштрихована) находится левее крутой части вольтамперных характеристик. Область отсечки (тоже заштрихована) лежит между осью Uк и характеристикой Iб = -Iко. По выходным характеристикам можно определить выходное сопротивление транзистора Rвых и дифференциальный коэффициент передачи тока базы β по формулам:
Рис. 9 Входныехарактеристики транзистора в схеме с ОЭ
имеют вид, аналогичный соответствующим характеристикам для схемы с ОБ. Однако при увеличении Uк кривые Iб(Uб) смещаются не вверх, а вниз, как показано на рис. 9.Это смещение, как и в предыдущем случае, невелико. По входным характеристикам можно определить входное сопротивление транзистора по формуле:
Популярное: Почему люди поддаются рекламе?: Только не надо искать ответы в качестве или количестве рекламы... Как выбрать специалиста по управлению гостиницей: Понятно, что управление гостиницей невозможно без специальных знаний. Соответственно, важна квалификация... Генезис конфликтологии как науки в древней Греции: Для уяснения предыстории конфликтологии существенное значение имеет обращение к античной... ©2015-2024 megaobuchalka.ru Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. (187)
|
Почему 1285321 студент выбрали МегаОбучалку... Система поиска информации Мобильная версия сайта Удобная навигация Нет шокирующей рекламы |